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IRG8P50N120KD-EPBF

IRG8P50N120KD-EPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRG8P50N120KD-EPBF
PNEDA Teilenummer IRG8P50N120KD-EPBF
Beschreibung IGBT 1200V 80A 305W TO-247AD
Hersteller Infineon Technologies
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IRG8P50N120KD-EPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG8P50N120KD-EPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRG8P50N120KD-EPBF, IRG8P50N120KD-EPBF Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 603,57 KB)
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IRG8P50N120KD-EPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)105A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 35A
Leistung - max350W
Schaltenergie2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge315nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.35ns/190ns
Testbedingung600V, 35A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)170ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 50A

Leistung - max

328.9W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

63ns/142ns

Testbedingung

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

Leistung - max

260W

Schaltenergie

383µJ (on), 233µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

163nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/189ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

STGB14NC60KT4

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 7A

Leistung - max

80W

Schaltenergie

82µJ (on), 155µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

34.4nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22.5ns/116ns

Testbedingung

390V, 7A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 75A

Leistung - max

395W

Schaltenergie

1.3mJ (on), 1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

164nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/405ns

Testbedingung

400V, 15A, 22.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

72ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 75A

Leistung - max

556W

Schaltenergie

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Eingabetyp

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Gate Charge

109nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

47ns/175ns

Testbedingung

400V, 75A, 4Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

295ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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