IRGB4615DPBF
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| Teilenummer | IRGB4615DPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRGB4615DPBF |
| Beschreibung | IGBT 600V 23A 99W TO220 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.652 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRGB4615DPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRGB4615DPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IRGB4615DPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 23A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 24A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 8A |
| Leistung - max | 99W |
| Schaltenergie | 70µJ (on), 145µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 19nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 30ns/95ns |
| Testbedingung | 400V, 8A, 47Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 60ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 12A Leistung - max 100W Schaltenergie 160µJ (on), 200µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17ns/78ns Testbedingung 480V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 15A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 5A Leistung - max 81W Schaltenergie 75µJ (on), 59µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 6ns/44ns Testbedingung 400V, 5A, 20Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 30ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A Leistung - max 341W Schaltenergie 1.15mJ (on), 350µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 219nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 58ns/245ns Testbedingung 400V, 40A, 7.9Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 145ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 110A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 6V @ 15V, 42A Leistung - max 1040W Schaltenergie 3.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 358nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 26ns/418ns Testbedingung 1360V, 42A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 360ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6.2A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 9.6A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 2A Leistung - max 62W Schaltenergie 220µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 11nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/260ns Testbedingung 800V, 2A, 91Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 50ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 |
