IRGB4B60KD1PBF
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| Teilenummer | IRGB4B60KD1PBF |
| PNEDA Teilenummer | IRGB4B60KD1PBF |
| Beschreibung | IGBT 600V 11A 63W TO220AB |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.354 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRGB4B60KD1PBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRGB4B60KD1PBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IRGB4B60KD1PBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 11A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 22A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 4A |
| Leistung - max | 63W |
| Schaltenergie | 73µJ (on), 47µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 12nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 22ns/100ns |
| Testbedingung | 400V, 4A, 100Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 93ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 52A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 6.5A Leistung - max 60W Schaltenergie 160µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 27nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 39ns/93ns Testbedingung 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 37ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 220A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 480A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 70A Leistung - max 830W Schaltenergie 1.9mJ (on), 2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 143nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/120ns Testbedingung 360V, 70A, 2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 (IXXH) |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 17A Leistung - max 113W Schaltenergie 290µJ (on), 290µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 60nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 38ns/90ns Testbedingung 300V, 17A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 90ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-83 Lieferantengerätepaket 4-LDPAK |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2500V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 110A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 580A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 75A Leistung - max 430W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 410nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUSi5-Pak™ Lieferantengerätepaket ISOPLUSi5-Pak™ |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A Leistung - max 77W Schaltenergie 56µJ (on), 122µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 13nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/75ns Testbedingung 400V, 6A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 74ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
