IRGC4061B
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| Teilenummer | IRGC4061B |
| PNEDA Teilenummer | IRGC4061B |
| Beschreibung | IGBT CHIP WAFER |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.428 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 6 - Mai 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRGC4061B Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRGC4061B |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IRGC4061B Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 18A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Leistung - max | - |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 20A Leistung - max 180W Schaltenergie 1.06mJ (on), 620µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 85nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/160ns Testbedingung 600V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 105ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 25A Leistung - max 428W Schaltenergie 1.74mJ (on), 560µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 225nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/490ns Testbedingung 600V, 25A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 Long Leads |
Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 280A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A Leistung - max 150W Schaltenergie 840µJ (on), 660µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 115nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/130ns Testbedingung 480V, 30A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUS247™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 9.6A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 9.9A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 3A Leistung - max 62.5W Schaltenergie 290µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 22nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 9.2ns/281ns Testbedingung 800V, 3A, 82Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 42ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
