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IRGIB15B60KD1P

IRGIB15B60KD1P

Nur als Referenz

Teilenummer IRGIB15B60KD1P
PNEDA Teilenummer IRGIB15B60KD1P
Beschreibung IGBT 600V 19A 52W TO220FP
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 34.500
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IRGIB15B60KD1P Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRGIB15B60KD1P
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRGIB15B60KD1P Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)19A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)38A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 15A
Leistung - max52W
Schaltenergie127µJ (on), 334µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge56nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/173ns
Testbedingung400V, 15A, 22Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)67ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220AB Full-Pak

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

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IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

88A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 40A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

929µJ (on), 1070µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/166ns

Testbedingung

600V, 40A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

NGD18N40ACLBT4G

Littelfuse

Hersteller

Littelfuse Inc.

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

430V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 4V, 15A

Leistung - max

115W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

FGY100T65SCDT

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

Leistung - max

750W

Schaltenergie

5.4mJ (on), 3.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

157nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

84ns/216ns

Testbedingung

400V, 100A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

62ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

HGTG20N60C3D

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 20A

Leistung - max

164W

Schaltenergie

500µJ (on), 500µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

91nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/151ns

Testbedingung

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IRGB4710DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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