IRGS15B60KDTRRP
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| Teilenummer | IRGS15B60KDTRRP |
| PNEDA Teilenummer | IRGS15B60KDTRRP |
| Beschreibung | IGBT 600V 31A 208W D2PAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.052 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 22 - Jul 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRGS15B60KDTRRP Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRGS15B60KDTRRP |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IRGS15B60KDTRRP Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 31A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 62A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 15A |
| Leistung - max | 208W |
| Schaltenergie | 220µJ (on), 340µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 56nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 34ns/184ns |
| Testbedingung | 400V, 15A, 22Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 92ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 31A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 17A Leistung - max 100W Schaltenergie 630µJ (on), 1.39mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 51nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 42ns/230ns Testbedingung 480V, 17A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 42ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A Leistung - max 100W Schaltenergie 130µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 51nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/99ns Testbedingung 480V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A Leistung - max 290W Schaltenergie 1mJ (on), 520µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/126ns Testbedingung 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 36ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 33A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A Leistung - max 76W Schaltenergie 570µJ (on), 500µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 64nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 33ns/105ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 95ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3 Lieferantengerätepaket TO-3PFM |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 33A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A Leistung - max 72W Schaltenergie 480µJ (on), 490µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 84nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 37ns/114ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 92ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3 Lieferantengerätepaket TO-3PFM |
