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IRL3302STRR

IRL3302STRR

Nur als Referenz

Teilenummer IRL3302STRR
PNEDA Teilenummer IRL3302STRR
Beschreibung MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.796
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Voraussichtliche Lieferung Mai 18 - Mai 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRL3302STRR Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRL3302STRR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRL3302STRR, IRL3302STRR Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 96,04 KB)
PDFIRL3302STRR Datenblatt Cover
IRL3302STRR Datenblatt Seite 2 IRL3302STRR Datenblatt Seite 3 IRL3302STRR Datenblatt Seite 4 IRL3302STRR Datenblatt Seite 5 IRL3302STRR Datenblatt Seite 6 IRL3302STRR Datenblatt Seite 7 IRL3302STRR Datenblatt Seite 8 IRL3302STRR Datenblatt Seite 9

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IRL3302STRR Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.39A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 7V
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 23A, 7V
Vgs (th) (Max) @ Id700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31nC @ 4.5V
Vgs (Max)±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1300pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)57W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AO3422L

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 2.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.3nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.25W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SSM3J15CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

π-MOSVI

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9.1pF @ 3V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

100mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

CST3

Paket / Fall

SC-101, SOT-883

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

37A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

92mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

265nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

360W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS264™

Paket / Fall

ISOPLUS264™

AON6400L

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

8-PowerSMD, Flat Leads

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

545pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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