IRL6283MTRPBF
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| Teilenummer | IRL6283MTRPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRL6283MTRPBF |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 211A DIRECTFET |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.112 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRL6283MTRPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRL6283MTRPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IRL6283MTRPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 38A (Ta), 211A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.75mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 158nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8292pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.1W (Ta), 63W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DIRECTFET™ MD |
| Paket / Fall | DirectFET™ Isometric MD |
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