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IRLR110

IRLR110

Nur als Referenz

Teilenummer IRLR110
PNEDA Teilenummer IRLR110
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 5.904
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 19 - Mai 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRLR110 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRLR110
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRLR110, IRLR110 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 2.156,21 KB)
PDFIRLR110TRR Datenblatt Cover
IRLR110TRR Datenblatt Seite 2 IRLR110TRR Datenblatt Seite 3 IRLR110TRR Datenblatt Seite 4 IRLR110TRR Datenblatt Seite 5 IRLR110TRR Datenblatt Seite 6 IRLR110TRR Datenblatt Seite 7 IRLR110TRR Datenblatt Seite 8 IRLR110TRR Datenblatt Seite 9 IRLR110TRR Datenblatt Seite 10 IRLR110TRR Datenblatt Seite 11

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IRLR110 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs540mOhm @ 2.6A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.1nC @ 5V
Vgs (Max)±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds250pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD-Pak
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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STL3NK40

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

400V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

430mA (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5Ohm @ 220mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerFLAT™ (5x5)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

SPW35N60C3FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

34.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 21.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 1.9mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

313W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Paket / Fall

TO-247-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

STFU16N65M2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ M2

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

360mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

718pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

25W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

PMV55ENEAR

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

646pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

478mW (Ta), 8.36W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-236AB

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Kürzlich verkauft

ISL4221EIRZ-T

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MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

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BAT54C

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