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IRLR8503TRLPBF

IRLR8503TRLPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRLR8503TRLPBF
PNEDA Teilenummer IRLR8503TRLPBF
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.066
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IRLR8503TRLPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRLR8503TRLPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRLR8503TRLPBF, IRLR8503TRLPBF Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 238,24 KB)
PDFIRLR8503TRLPBF Datenblatt Cover
IRLR8503TRLPBF Datenblatt Seite 2 IRLR8503TRLPBF Datenblatt Seite 3 IRLR8503TRLPBF Datenblatt Seite 4 IRLR8503TRLPBF Datenblatt Seite 5 IRLR8503TRLPBF Datenblatt Seite 6 IRLR8503TRLPBF Datenblatt Seite 7 IRLR8503TRLPBF Datenblatt Seite 8 IRLR8503TRLPBF Datenblatt Seite 9

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IRLR8503TRLPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.44A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1650pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)62W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD-Pak
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Hersteller

Serie

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FET-Typ

N-Channel

Technologie

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Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

89A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.9mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2683pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

74W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-VSONP (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

NVHL027N65S3F

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27.4mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

227nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7780pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

595W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

IRLL1503

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 140A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 10V

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5730pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

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FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2180pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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FET-Typ

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Technologie

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Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1860pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

45W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

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