Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRLR8721TRPBF-1

IRLR8721TRPBF-1

Nur als Referenz

Teilenummer IRLR8721TRPBF-1
PNEDA Teilenummer IRLR8721TRPBF-1
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.424
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 21 - Jul 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRLR8721TRPBF-1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRLR8721TRPBF-1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRLR8721TRPBF-1, IRLR8721TRPBF-1 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 259,57 KB)
PDFIRLR8721TRPBF-1 Datenblatt Cover
IRLR8721TRPBF-1 Datenblatt Seite 2 IRLR8721TRPBF-1 Datenblatt Seite 3 IRLR8721TRPBF-1 Datenblatt Seite 4 IRLR8721TRPBF-1 Datenblatt Seite 5 IRLR8721TRPBF-1 Datenblatt Seite 6 IRLR8721TRPBF-1 Datenblatt Seite 7 IRLR8721TRPBF-1 Datenblatt Seite 8 IRLR8721TRPBF-1 Datenblatt Seite 9 IRLR8721TRPBF-1 Datenblatt Seite 10 IRLR8721TRPBF-1 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRLR8721TRPBF-1 Datasheet
  • where to find IRLR8721TRPBF-1
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRLR8721TRPBF-1
  • IRLR8721TRPBF-1 PDF Datasheet
  • IRLR8721TRPBF-1 Stock

  • IRLR8721TRPBF-1 Pinout
  • Datasheet IRLR8721TRPBF-1
  • IRLR8721TRPBF-1 Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRLR8721TRPBF-1 Price
  • IRLR8721TRPBF-1 Distributor

IRLR8721TRPBF-1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie*
FET-Typ-
Technologie-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Lieferantengerätepaket-
Paket / Fall-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

RJK6035DPP-E0#T2

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.37Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

765pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

29.5W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

FDB8445

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

70A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 70A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3805pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

92W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

47A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

166W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NTMTS0D7N06CLTXG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

FDS8884

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

635pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Kürzlich verkauft

SS14-E3/61T

SS14-E3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC

MMBD7000LT1G

MMBD7000LT1G

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23

ADA4870ARRZ-RL

ADA4870ARRZ-RL

Analog Devices

IC OPAMP CFA 1 CIRCUIT 20PSOP3

GRM43ER71A226KE01L

GRM43ER71A226KE01L

Murata

CAP CER 22UF 10V X7R 1812

ADP2107ACPZ-1.2-R7

ADP2107ACPZ-1.2-R7

Analog Devices

IC REG BUCK 1.2V 2A 16LFCSP

MAX791ESE+T

MAX791ESE+T

Maxim Integrated

IC SUPERVISOR MPU 16-SOIC

HSMS-A100-J00J1

HSMS-A100-J00J1

Broadcom

LED RED CLEAR 2PLCC SMD

LPC3250FET296/01,5

LPC3250FET296/01,5

NXP

IC MCU 16/32BIT ROMLESS 296TFBGA

ABM8-166-114.285MHZ-T2

ABM8-166-114.285MHZ-T2

Abracon

CRYSTAL 114.2850MHZ 18PF SMD

MADL-011021-14150T

MADL-011021-14150T

M/A-Com Technology Solutions

RF DIODE PIN 6TDFN

MAX16025TE+

MAX16025TE+

Maxim Integrated

IC SUPERVISORY CIRC DL 16TQFN

HSMS-2812-TR1

HSMS-2812-TR1

Broadcom

RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT23-3