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IRLU9343

IRLU9343

Nur als Referenz

Teilenummer IRLU9343
PNEDA Teilenummer IRLU9343
Beschreibung MOSFET P-CH 55V 20A I-PAK
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.988
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IRLU9343 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRLU9343
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRLU9343, IRLU9343 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 248,35 KB)
PDFIRLU9343 Datenblatt Cover
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IRLU9343 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs47nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds660pF @ 50V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)79W (Tc)
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketI-PAK
Paket / FallTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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NVMFS6B14NLT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Ta), 55A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1680pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 94W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads

FCP099N65S3

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SuperFET® III

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

99mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

61nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2480pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

227W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

APT30M19JVFR

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS V®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

300V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

130A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

975nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

21600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

700W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

IPA50R650CEXKSA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ CE

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

13V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650mOhm @ 1.8A, 13V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

342pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

27.2W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220 Full Pack

Paket / Fall

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APT34F60B

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

36A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

210mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

165nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6640pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

624W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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