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IRLZ24STRR

IRLZ24STRR

Nur als Referenz

Teilenummer IRLZ24STRR
PNEDA Teilenummer IRLZ24STRR
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
Hersteller Vishay Siliconix
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IRLZ24STRR Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRLZ24STRR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRLZ24STRR, IRLZ24STRR Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 240,11 KB)
PDFIRLZ24STRR Datenblatt Cover
IRLZ24STRR Datenblatt Seite 2 IRLZ24STRR Datenblatt Seite 3 IRLZ24STRR Datenblatt Seite 4 IRLZ24STRR Datenblatt Seite 5 IRLZ24STRR Datenblatt Seite 6 IRLZ24STRR Datenblatt Seite 7 IRLZ24STRR Datenblatt Seite 8 IRLZ24STRR Datenblatt Seite 9 IRLZ24STRR Datenblatt Seite 10 IRLZ24STRR Datenblatt Seite 11

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IRLZ24STRR Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.17A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 5V
Vgs (Max)±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds870pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.7W (Ta), 60W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FCH060N80-F155

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SuperFET® II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

56A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 29A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 5.8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

350nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14685pF @ 100V

FET-Funktion

Super Junction

Verlustleistung (max.)

500W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247 Long Leads

Paket / Fall

TO-247-3

STU2N80K5

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH5™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 10V

Vgs (Max)

30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

105pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

45W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

IPAK (TO-251)

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

STB11NM80T4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43.6nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1630pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NTD80N02T4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

24V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

75W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRF3315LPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

82mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 94W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-262

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Kürzlich verkauft

MMSZ5226B-7-F

MMSZ5226B-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123

ADG419BRZ

ADG419BRZ

Analog Devices

IC SWITCH SPDT 8SOIC

ESDR0502NMUTBG

ESDR0502NMUTBG

ON Semiconductor

TVS DIODE 5.5V 6UDFN

NCP1055ST100T3G

NCP1055ST100T3G

ON Semiconductor

IC CONV PWM UVLO HV SOT223-4

7M-12.000MAAE-T

7M-12.000MAAE-T

TXC

CRYSTAL 12.0000MHZ 12PF SMD

AWM720P1

AWM720P1

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SENSOR AIRFLOW AMP 200 SLPM

TAJA226M010RNJ

TAJA226M010RNJ

CAP TANT 22UF 20% 10V 1206

TDA7267A

TDA7267A

STMicroelectronics

IC AMP AUDIO 3W MONO AB 16DIP

SMBJ5.0CA-13-F

SMBJ5.0CA-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 5V 9.2V SMB

WSL0603R1000FEA18

WSL0603R1000FEA18

Vishay Dale

RES 0.1 OHM 1% 1/5W 0603

1N4007-TP

1N4007-TP

Micro Commercial Co

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

TCS-DL004-500-WH

TCS-DL004-500-WH

Bourns

SUPPRESSOR TCS DUAL 40V 500MA