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IRLZ44ZSTRLPBF

IRLZ44ZSTRLPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRLZ44ZSTRLPBF
PNEDA Teilenummer IRLZ44ZSTRLPBF
Beschreibung MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Hersteller Infineon Technologies
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IRLZ44ZSTRLPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRLZ44ZSTRLPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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IRLZ44ZSTRLPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.51A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs13.5mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36nC @ 5V
Vgs (Max)±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1620pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)80W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IRL3713SPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

260A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 38A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5890pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

330W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FQD12N20LTM-F085

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1080pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 55W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

RW1C025ZPT2CR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

700mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-WEMT

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

APT12080JVR

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS V®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

800mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

485nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

450W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

TK31N60W,S1VF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

88mOhm @ 15.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.7V @ 1.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 300V

FET-Funktion

Super Junction

Verlustleistung (max.)

230W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

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