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IS41LV16105B-50KL

IS41LV16105B-50KL

Nur als Referenz

Teilenummer IS41LV16105B-50KL
PNEDA Teilenummer IS41LV16105B-50KL
Beschreibung IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 8.352
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IS41LV16105B-50KL Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS41LV16105B-50KL
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS41LV16105B-50KL, IS41LV16105B-50KL Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 132,19 KB)
PDFIS41LV16105B-60TLI-TR Datenblatt Cover
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IS41LV16105B-50KL Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieDRAM - FP
Speichergröße16Mb (1M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit25ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket42-SOJ

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Micron Technology Inc.

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Speichertyp

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Technologie

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Speichergröße

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

75ns

Zugriffszeit

75ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

8Gb (512M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1.6GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.26V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-SOJ

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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Hersteller

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Dual I/O

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs, 4ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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