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IS43DR16128A-3DBL-TR

IS43DR16128A-3DBL-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS43DR16128A-3DBL-TR
PNEDA Teilenummer IS43DR16128A-3DBL-TR
Beschreibung IC DRAM 2G PARALLEL 84LFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 8.982
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS43DR16128A-3DBL-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS43DR16128A-3DBL-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS43DR16128A-3DBL-TR, IS43DR16128A-3DBL-TR Datenblatt (Total Pages: 26, Größe: 987,98 KB)
PDFIS46DR16128A-3DBLA2-TR Datenblatt Cover
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IS43DR16128A-3DBL-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR2
Speichergröße2Gb (128M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit450ps
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall84-LFBGA
Lieferantengerätepaket84-LFBGA (10.5x13.5)

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Alliance Memory, Inc.

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Volatile

Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-SOIC (0.330", 8.38mm Width)

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28-SOP

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Microchip Technology

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

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Hersteller

Adesto Technologies

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

CBRAM®

Technologie

CBRAM

Speichergröße

64kb (32B Page Size)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

5MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100µs, 3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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Speichertyp

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Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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