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IS43LR16640A-6BL-TR

IS43LR16640A-6BL-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS43LR16640A-6BL-TR
PNEDA Teilenummer IS43LR16640A-6BL-TR
Beschreibung IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS43LR16640A-6BL-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS43LR16640A-6BL-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS43LR16640A-6BL-TR, IS43LR16640A-6BL-TR Datenblatt (Total Pages: 43, Größe: 1.852,2 KB)
PDFIS43LR16640A-5BLI Datenblatt Cover
IS43LR16640A-5BLI Datenblatt Seite 2 IS43LR16640A-5BLI Datenblatt Seite 3 IS43LR16640A-5BLI Datenblatt Seite 4 IS43LR16640A-5BLI Datenblatt Seite 5 IS43LR16640A-5BLI Datenblatt Seite 6 IS43LR16640A-5BLI Datenblatt Seite 7 IS43LR16640A-5BLI Datenblatt Seite 8 IS43LR16640A-5BLI Datenblatt Seite 9 IS43LR16640A-5BLI Datenblatt Seite 10 IS43LR16640A-5BLI Datenblatt Seite 11

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IS43LR16640A-6BL-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße1Gb (64M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit5ns
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall60-TFBGA
Lieferantengerätepaket60-TWBGA (8x10)

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

80ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

FT24C256A-UTR-T

Fremont Micro Devices Ltd

Hersteller

Fremont Micro Devices Ltd

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

550ns

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

40060167

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IDT71V3579S75PFI

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

4.5Mb (256K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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