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IS43R16320F-5BL

IS43R16320F-5BL

Nur als Referenz

Teilenummer IS43R16320F-5BL
PNEDA Teilenummer IS43R16320F-5BL
Beschreibung IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 7.938
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IS43R16320F-5BL Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS43R16320F-5BL
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS43R16320F-5BL, IS43R16320F-5BL Datenblatt (Total Pages: 29, Größe: 848,93 KB)
PDFIS43R86400F-5BLI Datenblatt Cover
IS43R86400F-5BLI Datenblatt Seite 2 IS43R86400F-5BLI Datenblatt Seite 3 IS43R86400F-5BLI Datenblatt Seite 4 IS43R86400F-5BLI Datenblatt Seite 5 IS43R86400F-5BLI Datenblatt Seite 6 IS43R86400F-5BLI Datenblatt Seite 7 IS43R86400F-5BLI Datenblatt Seite 8 IS43R86400F-5BLI Datenblatt Seite 9 IS43R86400F-5BLI Datenblatt Seite 10 IS43R86400F-5BLI Datenblatt Seite 11

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IS43R16320F-5BL Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR
Speichergröße512Mb (32M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit700ps
Spannung - Versorgung2.3V ~ 2.7V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall60-TFBGA
Lieferantengerätepaket60-TFBGA (13x8)

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

2Mb (64K x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4ns

Spannung - Versorgung

3.15V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

250ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-CFlatPack

Lieferantengerätepaket

28-Flatpack, Ceramic Bottom-Brazed

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

32Kb (4K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

80MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

30µs, 1ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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