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IS45S16400J-6BLA1

IS45S16400J-6BLA1

Nur als Referenz

Teilenummer IS45S16400J-6BLA1
PNEDA Teilenummer IS45S16400J-6BLA1
Beschreibung IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS45S16400J-6BLA1 Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS45S16400J-6BLA1
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS45S16400J-6BLA1, IS45S16400J-6BLA1 Datenblatt (Total Pages: 60, Größe: 1.462,66 KB)
PDFIS45S16400J-6TLA2-TR Datenblatt Cover
IS45S16400J-6TLA2-TR Datenblatt Seite 2 IS45S16400J-6TLA2-TR Datenblatt Seite 3 IS45S16400J-6TLA2-TR Datenblatt Seite 4 IS45S16400J-6TLA2-TR Datenblatt Seite 5 IS45S16400J-6TLA2-TR Datenblatt Seite 6 IS45S16400J-6TLA2-TR Datenblatt Seite 7 IS45S16400J-6TLA2-TR Datenblatt Seite 8 IS45S16400J-6TLA2-TR Datenblatt Seite 9 IS45S16400J-6TLA2-TR Datenblatt Seite 10 IS45S16400J-6TLA2-TR Datenblatt Seite 11

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IS45S16400J-6BLA1 Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße64Mb (4M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5.4ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall54-TFBGA
Lieferantengerätepaket54-TFBGA (8x8)

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Hersteller

Microchip Technology

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Speicherformat

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Technologie

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

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Surface Mount

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

4Gb (256M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Macronix

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND (SLC)

Speichergröße

4Gb (512M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

63-VFBGA

Lieferantengerätepaket

63-VFBGA (9x11)

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR

Speichergröße

256Mb (8M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

5.0ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.5ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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