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IS45S16400J-6TLA1

IS45S16400J-6TLA1

Nur als Referenz

Teilenummer IS45S16400J-6TLA1
PNEDA Teilenummer IS45S16400J-6TLA1
Beschreibung IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS45S16400J-6TLA1 Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS45S16400J-6TLA1
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS45S16400J-6TLA1, IS45S16400J-6TLA1 Datenblatt (Total Pages: 60, Größe: 1.462,66 KB)
PDFIS45S16400J-6TLA2-TR Datenblatt Cover
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IS45S16400J-6TLA1 Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße64Mb (4M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5.4ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket54-TSOP II

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Micron Technology Inc.

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Speichertyp

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Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

85ns

Zugriffszeit

85ns

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

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Speichertyp

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Winbond Electronics

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

PSRAM (Pseudo SRAM)

Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

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