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IS46DR81280C-3DBLA2-TR

IS46DR81280C-3DBLA2-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS46DR81280C-3DBLA2-TR
PNEDA Teilenummer IS46DR81280C-3DBLA2-TR
Beschreibung IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS46DR81280C-3DBLA2-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS46DR81280C-3DBLA2-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS46DR81280C-3DBLA2-TR, IS46DR81280C-3DBLA2-TR Datenblatt (Total Pages: 49, Größe: 1.094,66 KB)
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IS46DR81280C-3DBLA2-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR2
Speichergröße1Gb (128M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit450ps
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall60-TFBGA
Lieferantengerätepaket60-TWBGA (8x10.5)

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Micron Technology Inc.

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Technologie

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Speichergröße

16Gb (2G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

512Mb (16M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SGRAM - GDDR6

Speichergröße

8Gb (256M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1.5GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.31V ~ 1.39V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Sub-Base Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

180-FBGA (12x14)

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

32-DIP (0.600", 15.24mm)

Lieferantengerätepaket

32-PDIP

24C02C-I/P

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

1ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-PDIP

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