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IS46R16320D-5BLA1

IS46R16320D-5BLA1

Nur als Referenz

Teilenummer IS46R16320D-5BLA1
PNEDA Teilenummer IS46R16320D-5BLA1
Beschreibung IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 7.182
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IS46R16320D-5BLA1 Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS46R16320D-5BLA1
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS46R16320D-5BLA1, IS46R16320D-5BLA1 Datenblatt (Total Pages: 33, Größe: 1.045,4 KB)
PDFIS43R16320D-6BI Datenblatt Cover
IS43R16320D-6BI Datenblatt Seite 2 IS43R16320D-6BI Datenblatt Seite 3 IS43R16320D-6BI Datenblatt Seite 4 IS43R16320D-6BI Datenblatt Seite 5 IS43R16320D-6BI Datenblatt Seite 6 IS43R16320D-6BI Datenblatt Seite 7 IS43R16320D-6BI Datenblatt Seite 8 IS43R16320D-6BI Datenblatt Seite 9 IS43R16320D-6BI Datenblatt Seite 10 IS43R16320D-6BI Datenblatt Seite 11

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IS46R16320D-5BLA1 Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR
Speichergröße512Mb (32M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit700ps
Spannung - Versorgung2.5V ~ 2.7V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall60-TFBGA
Lieferantengerätepaket60-TFBGA (8x13)

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Hersteller

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.7V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFBGA

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

512Mb (64M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

400ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

2Mb (128K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

16Mb (2M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

36-EDIP

S25FL128SAGBHM200

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, FL-S

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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