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IS46TR16640B-15GBLA2-TR

IS46TR16640B-15GBLA2-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS46TR16640B-15GBLA2-TR
PNEDA Teilenummer IS46TR16640B-15GBLA2-TR
Beschreibung IC DRAM 1G PARALLEL 667MHZ
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS46TR16640B-15GBLA2-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS46TR16640B-15GBLA2-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS46TR16640B-15GBLA2-TR, IS46TR16640B-15GBLA2-TR Datenblatt (Total Pages: 87, Größe: 4.343,88 KB)
PDFIS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Cover
IS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 2 IS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 3 IS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 4 IS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 5 IS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 6 IS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 7 IS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 8 IS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 9 IS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 10 IS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 11

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IS46TR16640B-15GBLA2-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR3
Speichergröße1Gb (64M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit20ns
Spannung - Versorgung1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall96-TFBGA
Lieferantengerätepaket96-TWBGA (9x13)

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Hersteller

Microchip Technology

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

128Kb (16K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

90ns

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-LBGA

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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MT42L256M64D4LM-25 WT:A TR

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

16Gb (256M x 64)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.3V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

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Paket / Fall

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