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IS61DDB21M36C-250M3L

IS61DDB21M36C-250M3L

Nur als Referenz

Teilenummer IS61DDB21M36C-250M3L
PNEDA Teilenummer IS61DDB21M36C-250M3L
Beschreibung IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS61DDB21M36C-250M3L Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS61DDB21M36C-250M3L
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS61DDB21M36C-250M3L, IS61DDB21M36C-250M3L Datenblatt (Total Pages: 30, Größe: 785,4 KB)
PDFIS61DDB22M18C-250M3 Datenblatt Cover
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IS61DDB21M36C-250M3L Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße36Mb (1M x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit8.4ns
Spannung - Versorgung1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-LFBGA (13x15)

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

EEPROM

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

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-

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Speichergröße

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Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

CBRAM®

Technologie

CBRAM

Speichergröße

256kb (64B Page Size)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100µs, 5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Speichergröße

4Gb (128M x 32)

Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.1V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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