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IS61LF25618A-7.5TQLI-TR

IS61LF25618A-7.5TQLI-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS61LF25618A-7.5TQLI-TR
PNEDA Teilenummer IS61LF25618A-7-5TQLI-TR
Beschreibung IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS61LF25618A-7.5TQLI-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS61LF25618A-7.5TQLI-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS61LF25618A-7.5TQLI-TR, IS61LF25618A-7.5TQLI-TR Datenblatt (Total Pages: 25, Größe: 945,77 KB)
PDFIS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Cover
IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Seite 2 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Seite 3 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Seite 4 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Seite 5 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Seite 6 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Seite 7 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Seite 8 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Seite 9 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Seite 10 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Seite 11

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IS61LF25618A-7.5TQLI-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße4.5Mb (256K x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit7.5ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall100-LQFP
Lieferantengerätepaket100-TQFP (14x20)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2-S4

Speichergröße

2Gb (64M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

134-TFBGA

Lieferantengerätepaket

134-TFBGA (10x11.5)

AS4C256M32MD2-18BIN

Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

8Gb (256M x 32)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.2V, 1.8V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

134-VFBGA

Lieferantengerätepaket

134-FBGA (11.5x11.5)

24LC014T-E/OT

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SOT-23-6

CY7C1570KV18-400BZXC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II+

Speichergröße

72Mb (2M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (13x15)

AT29C512-90PC

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

32-DIP (0.600", 15.24mm)

Lieferantengerätepaket

32-PDIP

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