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IS61LP6432A-133TQLI-TR

IS61LP6432A-133TQLI-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS61LP6432A-133TQLI-TR
PNEDA Teilenummer IS61LP6432A-133TQLI-TR
Beschreibung IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS61LP6432A-133TQLI-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS61LP6432A-133TQLI-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS61LP6432A-133TQLI-TR, IS61LP6432A-133TQLI-TR Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 240,32 KB)
PDFIS61LP6436A-133TQ Datenblatt Cover
IS61LP6436A-133TQ Datenblatt Seite 2 IS61LP6436A-133TQ Datenblatt Seite 3 IS61LP6436A-133TQ Datenblatt Seite 4 IS61LP6436A-133TQ Datenblatt Seite 5 IS61LP6436A-133TQ Datenblatt Seite 6 IS61LP6436A-133TQ Datenblatt Seite 7 IS61LP6436A-133TQ Datenblatt Seite 8 IS61LP6436A-133TQ Datenblatt Seite 9 IS61LP6436A-133TQ Datenblatt Seite 10 IS61LP6436A-133TQ Datenblatt Seite 11

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IS61LP6432A-133TQLI-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße2Mb (64K x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit4ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall100-LQFP
Lieferantengerätepaket100-TQFP (14x20)

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S34MS04G100BHB003

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MS-1

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

4Gb (512M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

128Gb (16G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

-

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

9Mb (128K x 72)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.4ns

Spannung - Versorgung

1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

484-BGA

Lieferantengerätepaket

484-FBGA (23x23)

MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

256Gb (32G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

132-TBGA (12x18)

IS25LQ020A-JNLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

80MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

400µs

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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