IS61NLP25636A-200B2I
Nur als Referenz
| Teilenummer | IS61NLP25636A-200B2I |
| PNEDA Teilenummer | IS61NLP25636A-200B2I |
| Beschreibung | IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.996 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 1 - Mai 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IS61NLP25636A-200B2I Ressourcen
| Marke | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IS61NLP25636A-200B2I |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
IS61NLP25636A-200B2I, IS61NLP25636A-200B2I Datenblatt
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IS61NLP25636A-200B2I Technische Daten
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, SDR |
| Speichergröße | 9Mb (256K x 36) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 200MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 3.1ns |
| Spannung - Versorgung | 3.135V ~ 3.465V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 119-BBGA |
| Lieferantengerätepaket | 119-PBGA (14x22) |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 55ns Zugriffszeit 55ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-LCC Lieferantengerätepaket 48-LCC (14.22x14.22) |
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