Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IS61NLP25672-200B1LI-TR

IS61NLP25672-200B1LI-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS61NLP25672-200B1LI-TR
PNEDA Teilenummer IS61NLP25672-200B1LI-TR
Beschreibung IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.376
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 14 - Jun 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS61NLP25672-200B1LI-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS61NLP25672-200B1LI-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS61NLP25672-200B1LI-TR, IS61NLP25672-200B1LI-TR Datenblatt (Total Pages: 37, Größe: 642,05 KB)
PDFIS61NVP51236-250B3I Datenblatt Cover
IS61NVP51236-250B3I Datenblatt Seite 2 IS61NVP51236-250B3I Datenblatt Seite 3 IS61NVP51236-250B3I Datenblatt Seite 4 IS61NVP51236-250B3I Datenblatt Seite 5 IS61NVP51236-250B3I Datenblatt Seite 6 IS61NVP51236-250B3I Datenblatt Seite 7 IS61NVP51236-250B3I Datenblatt Seite 8 IS61NVP51236-250B3I Datenblatt Seite 9 IS61NVP51236-250B3I Datenblatt Seite 10 IS61NVP51236-250B3I Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IS61NLP25672-200B1LI-TR Datasheet
  • where to find IS61NLP25672-200B1LI-TR
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25672-200B1LI-TR
  • IS61NLP25672-200B1LI-TR PDF Datasheet
  • IS61NLP25672-200B1LI-TR Stock

  • IS61NLP25672-200B1LI-TR Pinout
  • Datasheet IS61NLP25672-200B1LI-TR
  • IS61NLP25672-200B1LI-TR Supplier

  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Distributor
  • IS61NLP25672-200B1LI-TR Price
  • IS61NLP25672-200B1LI-TR Distributor

IS61NLP25672-200B1LI-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße18Mb (256K x 72)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit3.1ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall209-BGA
Lieferantengerätepaket209-LFBGA (14x22)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IDT71V632S6PF8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

2Mb (64K x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

83MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

6ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.63V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

Hersteller

ABLIC U.S.A. Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

32Kb (4K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

5MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.6V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TMSOP

70V9279L7PRFG8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

512Kb (32K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

128-LQFP

Lieferantengerätepaket

128-TQFP (14x20)

SST39VF6401B-70-4I-B1KEVAO

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10µs

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFBGA

Lieferantengerätepaket

48-TFBGA (8x10)

MT44K32M18RB-107E IT:B TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

DRAM

Speichergröße

576Mb (32M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8ns

Spannung - Versorgung

1.28V ~ 1.42V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

168-TBGA

Lieferantengerätepaket

168-BGA (13.5x13.5)

Kürzlich verkauft

AEDS-8011-A11

AEDS-8011-A11

Broadcom

ROTARY ENCODER OPTICAL 500PPR

FIN1019MTCX

FIN1019MTCX

ON Semiconductor

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 14TSSOP

EPM1270F256C5N

EPM1270F256C5N

Intel

IC CPLD 980MC 6.2NS 256FBGA

0217.500MXP

0217.500MXP

Littelfuse

FUSE GLASS 500MA 250VAC 5X20MM

DS9503P+

DS9503P+

Maxim Integrated

TVS DIODE 7.5V 6TSOC

DS1230Y-150

DS1230Y-150

Maxim Integrated

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

MX25V1635FZNI

MX25V1635FZNI

Macronix

IC FLASH 16M SPI 80MHZ 8WSON

MCH3478-TL-W

MCH3478-TL-W

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 2A MCPH3

ADP5054ACPZ-R7

ADP5054ACPZ-R7

Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK 48LFCSP

MC68HC908GP32CFB

MC68HC908GP32CFB

NXP

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 44QFP

744043101

744043101

Wurth Electronics

FIXED IND 100UH 510MA 600 MOHM

B560CQ-13-F

B560CQ-13-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 60V 5A SMC