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IS61VPS204836B-200TQLI-TR

IS61VPS204836B-200TQLI-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS61VPS204836B-200TQLI-TR
PNEDA Teilenummer IS61VPS204836B-200TQLI-TR
Beschreibung IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS61VPS204836B-200TQLI-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS61VPS204836B-200TQLI-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS61VPS204836B-200TQLI-TR, IS61VPS204836B-200TQLI-TR Datenblatt (Total Pages: 39, Größe: 1.289,02 KB)
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IS61VPS204836B-200TQLI-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße72Mb (2M x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit3.1ns
Spannung - Versorgung2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall100-LQFP
Lieferantengerätepaket100-LQFP (14x20)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IDT71V3577SA80BQI8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-TBGA

Lieferantengerätepaket

165-CABGA (13x15)

AT25SF041-SSHD-T

Adesto Technologies

Hersteller

Adesto Technologies

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5µs, 2.5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

RMLV0416EGSB-4S2#AA1

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-TSOP2

IS49RL18320-107EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

DRAM

Speichergröße

576Mb (32M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8ns

Spannung - Versorgung

1.28V ~ 1.42V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

168-LBGA

Lieferantengerätepaket

168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

S26KS256SDPBHM023

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KS

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

256Mb (32M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

96ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-VBGA

Lieferantengerätepaket

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IRF5210SPBF

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