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IS62WV5128DALL-55TLI

IS62WV5128DALL-55TLI

Nur als Referenz

Teilenummer IS62WV5128DALL-55TLI
PNEDA Teilenummer IS62WV5128DALL-55TLI
Beschreibung IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 7.704
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS62WV5128DALL-55TLI Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS62WV5128DALL-55TLI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS62WV5128DALL-55TLI, IS62WV5128DALL-55TLI Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 483,13 KB)
PDFIS62WV5128DBLL-45BI-TR Datenblatt Cover
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IS62WV5128DALL-55TLI Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße4Mb (512K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite55ns
Zugriffszeit55ns
Spannung - Versorgung1.65V ~ 2.2V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket32-TSOP II

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Montagetyp

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

FLASH

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

66MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

4ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

FRAM (Ferroelectric RAM)

Speichergröße

4Kb (512 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.65V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

128Gb (16G x 8)

Speicherschnittstelle

MMC

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

SRAM

Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

150MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.8ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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