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IS64WV102416BLL-10MA3

IS64WV102416BLL-10MA3

Nur als Referenz

Teilenummer IS64WV102416BLL-10MA3
PNEDA Teilenummer IS64WV102416BLL-10MA3
Beschreibung IC SRAM 16M PARALLEL 48TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS64WV102416BLL-10MA3 Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS64WV102416BLL-10MA3
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS64WV102416BLL-10MA3, IS64WV102416BLL-10MA3 Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 304,32 KB)
PDFIS61WV102416ALL-20MI-TR Datenblatt Cover
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IS64WV102416BLL-10MA3 Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße16Mb (1M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite10ns
Zugriffszeit10ns
Spannung - Versorgung2.4V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFBGA
Lieferantengerätepaket48-miniBGA (9x11)

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Hersteller

Toshiba Memory America, Inc.

Serie

-

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

AS4C128M16MD2-25BCNTR

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

134-FBGA (10x11.5)

IS64LF12832EC-7.5TQLA3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

4Mb (128K x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

117MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

128b (16 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

100kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

4ms

Zugriffszeit

3500ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

93AA56C/S15K

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8, 128 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

6ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

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