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IS64WV25616BLL-10BLA3

IS64WV25616BLL-10BLA3

Nur als Referenz

Teilenummer IS64WV25616BLL-10BLA3
PNEDA Teilenummer IS64WV25616BLL-10BLA3
Beschreibung IC SRAM 4M PARALLEL 48BGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 8.496
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS64WV25616BLL-10BLA3 Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS64WV25616BLL-10BLA3
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS64WV25616BLL-10BLA3, IS64WV25616BLL-10BLA3 Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 458,46 KB)
PDFIS61WV25616BLL-10BI-TR Datenblatt Cover
IS61WV25616BLL-10BI-TR Datenblatt Seite 2 IS61WV25616BLL-10BI-TR Datenblatt Seite 3 IS61WV25616BLL-10BI-TR Datenblatt Seite 4 IS61WV25616BLL-10BI-TR Datenblatt Seite 5 IS61WV25616BLL-10BI-TR Datenblatt Seite 6 IS61WV25616BLL-10BI-TR Datenblatt Seite 7 IS61WV25616BLL-10BI-TR Datenblatt Seite 8 IS61WV25616BLL-10BI-TR Datenblatt Seite 9 IS61WV25616BLL-10BI-TR Datenblatt Seite 10 IS61WV25616BLL-10BI-TR Datenblatt Seite 11

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IS64WV25616BLL-10BLA3 Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße4Mb (256K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite10ns
Zugriffszeit10ns
Spannung - Versorgung2.4V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFBGA
Lieferantengerätepaket48-miniBGA (6x8)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IDT71024S20YI8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

32-SOJ

THGAF8G8T23BAIL

Toshiba Memory America, Inc.

Hersteller

Toshiba Memory America, Inc.

Serie

Consumer UFS

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

256Gb (32G x 8)

Speicherschnittstelle

UFS

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

153-WFBGA

Lieferantengerätepaket

153-WFBGA (11.5x13)

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

8Gb (128M x 64)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.3V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

240-WFBGA

Lieferantengerätepaket

240-FBGA (14x14)

M25P40-VMW6GB

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

75MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ms, 5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO W

M24512-DRMB6TG

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

500ns

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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