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IS64WV25616EDBLL-10BLA3

IS64WV25616EDBLL-10BLA3

Nur als Referenz

Teilenummer IS64WV25616EDBLL-10BLA3
PNEDA Teilenummer IS64WV25616EDBLL-10BLA3
Beschreibung IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS64WV25616EDBLL-10BLA3 Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS64WV25616EDBLL-10BLA3
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS64WV25616EDBLL-10BLA3, IS64WV25616EDBLL-10BLA3 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 719,48 KB)
PDFIS64WV25616EDBLL-10BA3-TR Datenblatt Cover
IS64WV25616EDBLL-10BA3-TR Datenblatt Seite 2 IS64WV25616EDBLL-10BA3-TR Datenblatt Seite 3 IS64WV25616EDBLL-10BA3-TR Datenblatt Seite 4 IS64WV25616EDBLL-10BA3-TR Datenblatt Seite 5 IS64WV25616EDBLL-10BA3-TR Datenblatt Seite 6 IS64WV25616EDBLL-10BA3-TR Datenblatt Seite 7 IS64WV25616EDBLL-10BA3-TR Datenblatt Seite 8 IS64WV25616EDBLL-10BA3-TR Datenblatt Seite 9 IS64WV25616EDBLL-10BA3-TR Datenblatt Seite 10 IS64WV25616EDBLL-10BA3-TR Datenblatt Seite 11

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IS64WV25616EDBLL-10BLA3 Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße4Mb (256K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite10ns
Zugriffszeit10ns
Spannung - Versorgung2.4V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFBGA
Lieferantengerätepaket48-TFBGA (6x8)

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

100kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

1.5ms

Zugriffszeit

3500ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-SOIC

MT49H8M36BM-33:B TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

DRAM

Speichergröße

288Mb (8M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

300MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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Lieferantengerätepaket

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

256Gb (32G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

267MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

132-VBGA

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AT27C2048-70PI

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

2Mb (128K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (128 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

2MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

6ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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