IS65WV12816BLL-55TA3-TR
Nur als Referenz
| Teilenummer | IS65WV12816BLL-55TA3-TR |
| PNEDA Teilenummer | IS65WV12816BLL-55TA3-TR |
| Beschreibung | IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.590 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 3 - Jun 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IS65WV12816BLL-55TA3-TR Ressourcen
| Marke | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IS65WV12816BLL-55TA3-TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
IS65WV12816BLL-55TA3-TR, IS65WV12816BLL-55TA3-TR Datenblatt
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IS65WV12816BLL-55TA3-TR Technische Daten
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Speichergröße | 2Mb (128K x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 55ns |
| Zugriffszeit | 55ns |
| Spannung - Versorgung | 2.5V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 44-TSOP II |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH, RAM Technologie FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Speichergröße 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.8V Betriebstemperatur -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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