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IS66WV51216DBLL-70BLI

IS66WV51216DBLL-70BLI

Nur als Referenz

Teilenummer IS66WV51216DBLL-70BLI
PNEDA Teilenummer IS66WV51216DBLL-70BLI
Beschreibung IC PSRAM 8M PARALLEL 48BGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS66WV51216DBLL-70BLI Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS66WV51216DBLL-70BLI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS66WV51216DBLL-70BLI, IS66WV51216DBLL-70BLI Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 566,61 KB)
PDFIS66WV51216DBLL-70TLI-TR Datenblatt Cover
IS66WV51216DBLL-70TLI-TR Datenblatt Seite 2 IS66WV51216DBLL-70TLI-TR Datenblatt Seite 3 IS66WV51216DBLL-70TLI-TR Datenblatt Seite 4 IS66WV51216DBLL-70TLI-TR Datenblatt Seite 5 IS66WV51216DBLL-70TLI-TR Datenblatt Seite 6 IS66WV51216DBLL-70TLI-TR Datenblatt Seite 7 IS66WV51216DBLL-70TLI-TR Datenblatt Seite 8 IS66WV51216DBLL-70TLI-TR Datenblatt Seite 9 IS66WV51216DBLL-70TLI-TR Datenblatt Seite 10 IS66WV51216DBLL-70TLI-TR Datenblatt Seite 11

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IS66WV51216DBLL-70BLI Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatPSRAM
TechnologiePSRAM (Pseudo SRAM)
Speichergröße8Mb (512K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite70ns
Zugriffszeit70ns
Spannung - Versorgung2.5V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFBGA
Lieferantengerätepaket48-miniBGA (6x8)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

70V9099L9PFG

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

9ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

70V3379S5BC

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

576Kb (32K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5ns

Spannung - Versorgung

3.15V ~ 3.45V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

256-LBGA

Lieferantengerätepaket

256-CABGA (17x17)

CY7C1565KV18-450BZC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II+

Speichergröße

72Mb (2M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

450MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (13x15)

MT29F32G08QAAWP:A TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

32Gb (4G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP I

AT93C86-10SC-2.7

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (2K x 8, 1K x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

2MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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