ISL6610AIRZ-T
Nur als Referenz
| Teilenummer | ISL6610AIRZ-T |
| PNEDA Teilenummer | ISL6610AIRZ-T |
| Beschreibung | IC MOSFET DRVR DUAL SYNC 16-QFN |
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.508 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 12 - Jun 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ISL6610AIRZ-T Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ISL6610AIRZ-T |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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ISL6610AIRZ-T Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Synchronous |
| Anzahl der Treiber | 4 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 5.5V |
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | -, 4A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 36V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 8ns, 8ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 16-VQFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 16-QFN (4x4) |
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Hersteller Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 9V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH 3V, 8V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1.6A, 1.6A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 118V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 600ns, 600ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp 3-Phase Anzahl der Treiber 6 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 200mA, 350mA Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 125ns, 50ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 28-SOIC |
Hersteller Microchip Technology Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 450V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) - Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 30ns, 30ns Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 14 Leads Lieferantengerätepaket 16-SOIC |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 8V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH 3.7V, 7.4V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 3A, 4A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 114V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 9ns, 7.5ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Microchip Technology Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ IGBT Spannung - Versorgung 4.5V ~ 18V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 4.5A, 4.5A Eingabetyp Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 12ns, 12ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-WFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-TDFN (2x3) |
