ISL6613ECB
Nur als Referenz
| Teilenummer | ISL6613ECB |
| PNEDA Teilenummer | ISL6613ECB |
| Beschreibung | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC |
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.130 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ISL6613ECB Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ISL6613ECB |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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ISL6613ECB Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Synchronous |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 10.8V ~ 13.2V |
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 1.25A, 2A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 36V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 26ns, 18ns |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC-EP |
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Hersteller Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 7V ~ 17V Logikspannung - VIL, VIH 1.2V, 2.55V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 4A, 4A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 100V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 7.8ns, 6ns Betriebstemperatur -40°C ~ 140°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 10-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 10-WSON (4x4) |
Hersteller Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 9V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH 2.3V, - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 3A, 3A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 118V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 430ns, 260ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 10-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 10-WSON (4x4) |
Hersteller Serie - Angetriebene Konfiguration High-Side Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 4 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) - Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-TSSOP (0.240", 6.10mm Width) Lieferantengerätepaket 32-TSSOP |
Hersteller Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 9V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1.6A, 1.6A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 118V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 600ns, 600ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket 10-VSSOP |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp 3-Phase Anzahl der Treiber 6 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 11.5V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 200mA, 350mA Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 125ns, 50ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-LCC (J-Lead), 32 Leads Lieferantengerätepaket 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) |
