ISL9R8120S3ST
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| Teilenummer | ISL9R8120S3ST |
| PNEDA Teilenummer | ISL9R8120S3ST |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.808 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 24 - Mai 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ISL9R8120S3ST Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ISL9R8120S3ST |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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ISL9R8120S3ST Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Stealth™ |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 3.3V @ 8A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 300ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 100µA @ 1200V |
| Kapazität @ Vr, F. | 30pF @ 10V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AB |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 350mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 600mV @ 200mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 10ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 20V Kapazität @ Vr, F. 50pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-76, SOD-323 Lieferantengerätepaket SOD-323 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 850mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 5A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 5A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 90µA @ 650V Kapazität @ Vr, F. 160pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket PG-TO220-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 25V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 460mV @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 800µA @ 25V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
