ISL9V3036D3S
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| Teilenummer | ISL9V3036D3S |
| PNEDA Teilenummer | ISL9V3036D3S |
| Beschreibung | IGBT 360V 21A 150W TO252AA |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.258 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 22 - Jul 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ISL9V3036D3S Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ISL9V3036D3S |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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ISL9V3036D3S Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | EcoSPARK® |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 360V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 21A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 4V, 6A |
| Leistung - max | 150W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Logic |
| Gate Charge | 17nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | -/4.8µs |
| Testbedingung | 300V, 1kOhm, 5V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | TO-252AA |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 107A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 50A Leistung - max 366W Schaltenergie 1185µJ (on), 1565µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 325nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/230ns Testbedingung 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 7.8A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 15.6A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 3A Leistung - max 52W Schaltenergie 62µJ (on), 39µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 13nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/110ns Testbedingung 400V, 3A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 77ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 34A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 56A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A Leistung - max 125W Schaltenergie 55µJ (on), 60µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 37nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 11ns/100ns Testbedingung 390V, 7A, 25Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 34ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB |
Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 8™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 121A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 202A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A Leistung - max 520W Schaltenergie 715µJ (on), 607µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 298nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/133ns Testbedingung 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
