IXBH16N170A
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| Teilenummer | IXBH16N170A |
| PNEDA Teilenummer | IXBH16N170A |
| Beschreibung | IGBT 1700V 16A 150W TO247AD |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.816 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXBH16N170A Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXBH16N170A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXBH16N170A Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | BIMOSFET™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1700V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 16A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 40A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 6V @ 15V, 10A |
| Leistung - max | 150W |
| Schaltenergie | 1.2mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 65nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 15ns/160ns |
| Testbedingung | 1360V, 10A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 360ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AD (IXBH) |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.68V @ 15V, 30A Leistung - max 63.5W Schaltenergie 330µJ (on), 760µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 72nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 35ns/120ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall SC-94 Lieferantengerätepaket TO-3PFP |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 15A Leistung - max 357W Schaltenergie 900µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 133nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/282ns Testbedingung 600V, 15A, 14.8Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A Leistung - max 94W Schaltenergie 1.17mJ (on), 940µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 104nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 41ns/142ns Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3 Lieferantengerätepaket TO-3PFM |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 16A Leistung - max 190W Schaltenergie 380µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 33nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/116ns Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 30ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 140A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A Leistung - max 450W Schaltenergie 3.2mJ (on), 1.7mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 80ns/200ns Testbedingung 400V, 75A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
