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IXBH9N160G

IXBH9N160G

Nur als Referenz

Teilenummer IXBH9N160G
PNEDA Teilenummer IXBH9N160G
Beschreibung IGBT 1600V 9A 100W TO247AD
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.516
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IXBH9N160G Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXBH9N160G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXBH9N160G, IXBH9N160G Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 78,36 KB)
PDFIXBH9N160G Datenblatt Cover
IXBH9N160G Datenblatt Seite 2 IXBH9N160G Datenblatt Seite 3 IXBH9N160G Datenblatt Seite 4

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IXBH9N160G Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieBIMOSFET™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)9A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)10A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic7V @ 15V, 5A
Leistung - max100W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge34nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung960V, 5A, 27Ohm, 10V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXBH)

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IHW20N120R3FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 20A

Leistung - max

310W

Schaltenergie

950µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

211nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/387ns

Testbedingung

600V, 20A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

69A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 25A

Leistung - max

417W

Schaltenergie

500µJ (on), 438µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

110nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/70ns

Testbedingung

600V, 25A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

IKW50N65F5FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

305W

Schaltenergie

490µJ (on), 160µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/175ns

Testbedingung

400V, 25A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

52ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

IXGH24N60A

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 24A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IKP20N65F5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

160µJ (on), 60µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

48nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/165ns

Testbedingung

400V, 10A, 32Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

53ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

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Through Hole

Paket / Fall

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