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IXBT12N300HV

IXBT12N300HV IXBT12N300HV

Nur als Referenz

Teilenummer IXBT12N300HV
PNEDA Teilenummer IXBT12N300HV
Beschreibung IGBT 3000V 30A 160W TO268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.812
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IXBT12N300HV Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXBT12N300HV
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXBT12N300HV, IXBT12N300HV Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 248,19 KB)
PDFIXBT12N300HV Datenblatt Cover
IXBT12N300HV Datenblatt Seite 2 IXBT12N300HV Datenblatt Seite 3 IXBT12N300HV Datenblatt Seite 4 IXBT12N300HV Datenblatt Seite 5

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IXBT12N300HV Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieBIMOSFET™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)3000V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 12A
Leistung - max160W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge62nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.64ns/180ns
Testbedingung1250V, 12A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)1.4µs
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GenX4™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

290A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

800A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 160A

Leistung - max

940W

Schaltenergie

3.5mJ (on), 1.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

422nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

52ns/197ns

Testbedingung

400V, 80A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

IKA15N65F5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Leistung - max

33.3W

Schaltenergie

130µJ (on), 40µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

38nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/150ns

Testbedingung

400V, 7.5A, 39Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-FP

DGTD65T60S2PT

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 60A

Leistung - max

428W

Schaltenergie

920µJ (on), 530µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

42ns/142ns

Testbedingung

400V, 60A, 7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

205ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

STGW15S120DF3

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 15A

Leistung - max

259W

Schaltenergie

540µJ (on), 1.38mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/140ns

Testbedingung

600V, 15A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

270ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

APT75GN120LG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

833W

Schaltenergie

8620µJ (on), 11400µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

425nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/620ns

Testbedingung

800V, 75A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 [L]

Kürzlich verkauft

EEE-FK1J220P

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IRF9Z24NPBF

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MC9RS08KA2CSC

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IC MCU 8BIT 2KB FLASH 8SOIC

LTM4605IV#PBF

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Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.8-16V 5A

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Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 60V 2.1A SMA

LT3437IFE#PBF

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Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK ADJ 500MA 16TSSOP

ASDMB-12.000MHZ-LC-T

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MEMS OSC XO 12.0000MHZ LVCMOS

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NLC565050T-100K-PF

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