IXBT24N170
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| Teilenummer | IXBT24N170 |
| PNEDA Teilenummer | IXBT24N170 |
| Beschreibung | IGBT 1700V 60A 250W TO268 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.886 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXBT24N170 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXBT24N170 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXBT24N170 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | BIMOSFET™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1700V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 230A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 24A |
| Leistung - max | 250W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 140nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.06µs |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-268 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 15A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 15A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 5A Leistung - max 89W Schaltenergie 300µJ (on), 300µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 45nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/160ns Testbedingung 600V, 5A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 50ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
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