IXBT32N300
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| Teilenummer | IXBT32N300 |
| PNEDA Teilenummer | IXBT32N300 |
| Beschreibung | IGBT 3000V 80A 400W TO268 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.616 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXBT32N300 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXBT32N300 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXBT32N300 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | BIMOSFET™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 3000V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 280A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 32A |
| Leistung - max | 400W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 142nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.5µs |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-268 |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 22A Leistung - max 40W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 45nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 35ns/90ns Testbedingung 300V, 22A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3 Lieferantengerätepaket TO-3PFM |
