IXDD430YI
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXDD430YI |
| PNEDA Teilenummer | IXDD430YI |
| Beschreibung | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO263-5 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.400 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 7 - Mai 12 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IXDD430YI Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXDD430YI |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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IXDD430YI Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Low-Side |
| Kanaltyp | Single |
| Anzahl der Treiber | 1 |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 8.5V ~ 35V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 3.5V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 30A, 30A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 18ns, 16ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA |
| Lieferantengerätepaket | TO-263 (D²Pak) |
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Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10.8V ~ 13.2V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1.25A, 2A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 36V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 26ns, 18ns Betriebstemperatur 0°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
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