IXEH40N120D1
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| Teilenummer | IXEH40N120D1 |
| PNEDA Teilenummer | IXEH40N120D1 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 60A 300W TO247AD |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.578 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXEH40N120D1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXEH40N120D1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXEH40N120D1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 300W |
| Schaltenergie | 6.1mJ (on), 3mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 150nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | 600V, 40A, 39Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 180ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AD |
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Hersteller ON Semiconductor Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 160A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 80A Leistung - max 250W Schaltenergie 2.5mJ (on), 1.76mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 345nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/90ns Testbedingung 300V, 80A, 3.9Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 95ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264-3 |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie Alpha IGBT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 20A Leistung - max 45W Schaltenergie 470µJ (on), 270µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 46nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 26ns/122ns Testbedingung 400V, 20A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 322ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 54A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 10A Leistung - max 160W Schaltenergie 240µJ (on), 110µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 18nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/77ns Testbedingung 400V, 10A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 170ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 67A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A Leistung - max 272W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 155nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/280ns Testbedingung 800V, 25A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket D3Pak |
