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IXFB38N100Q2

IXFB38N100Q2

Nur als Referenz

Teilenummer IXFB38N100Q2
PNEDA Teilenummer IXFB38N100Q2
Beschreibung MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
Hersteller IXYS
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IXFB38N100Q2 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXFB38N100Q2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXFB38N100Q2, IXFB38N100Q2 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 127,13 KB)
PDFIXFB38N100Q2 Datenblatt Cover
IXFB38N100Q2 Datenblatt Seite 2 IXFB38N100Q2 Datenblatt Seite 3 IXFB38N100Q2 Datenblatt Seite 4

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IXFB38N100Q2 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1000V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.38A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs250nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds13500pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)890W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketPLUS264™
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA

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NTB190N65S3HF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

FRFET®, SuperFET® III

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 430µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1610pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

162W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK-3 (TO-263-3)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDMS86150ET100

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Ta), 128A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.85mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4065pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.3W (Ta), 187W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

Power56

Paket / Fall

8-PowerTDFN

AO6408

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 8.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

IRL60S216

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®, StrongIRFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

195A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.95mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

255nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

15330pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

375W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2635pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 4.4W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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