IXFH18N100Q3
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| Teilenummer | IXFH18N100Q3 |
| PNEDA Teilenummer | IXFH18N100Q3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.832 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXFH18N100Q3 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXFH18N100Q3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXFH18N100Q3 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 18A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 660mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4890pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 830W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AD (IXFH) |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.06nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 409pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 350mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SC-70-3 Paket / Fall SC-70, SOT-323 |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 14A (Ta), 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 136nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6460pF @ 75V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 500W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247 Paket / Fall TO-247-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1015pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.88W (Ta), 60W (Tj) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DPAK Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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