Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IXFQ60N25X3

IXFQ60N25X3

Nur als Referenz

Teilenummer IXFQ60N25X3
PNEDA Teilenummer IXFQ60N25X3
Beschreibung MOSFET N-CHANNEL 250V 60A TO3P
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.508
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 22 - Jul 27 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXFQ60N25X3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXFQ60N25X3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IXFQ60N25X3 Datasheet
  • where to find IXFQ60N25X3
  • IXYS

  • IXYS IXFQ60N25X3
  • IXFQ60N25X3 PDF Datasheet
  • IXFQ60N25X3 Stock

  • IXFQ60N25X3 Pinout
  • Datasheet IXFQ60N25X3
  • IXFQ60N25X3 Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXFQ60N25X3 Price
  • IXFQ60N25X3 Distributor

IXFQ60N25X3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)250V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3610pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)320W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-3P
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SQD97N06-6M3L_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

97A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

125nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6060pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

136W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252AA

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD90N06S407ATMA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

90A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.9mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

79W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3-11

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AUIRLS8409-7P

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

240A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.75mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

266nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

16488pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

375W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK (7-Lead)

Paket / Fall

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

SIHP12N60E-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

937pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

147W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

IRFP044N

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

53A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 29A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

61nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

120W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Paket / Fall

TO-247-3

Kürzlich verkauft

AT93C57W-10SC

AT93C57W-10SC

Microchip Technology

IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 8SOIC

USB2512I-AEZG

USB2512I-AEZG

Microchip Technology

IC USB 2.0 2PORT HUB CTLR 36-QFN

AD8031ARZ

AD8031ARZ

Analog Devices

IC OPAMP VFB 1 CIRCUIT 8SOIC

MAX3232ESE+

MAX3232ESE+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SO

HCPL-3700-500E

HCPL-3700-500E

Broadcom

OPTOISOLATOR 3.75KV DARL 8DIP GW

BNX016-01

BNX016-01

Murata

FILTER LC TH

LTM8073IY#PBF

LTM8073IY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.8-15V

MAX811SEUS+T

MAX811SEUS+T

Maxim Integrated

IC MPU V-MONITOR 2.93V SOT143-4

BZX84C3V3

BZX84C3V3

ON Semiconductor

DIODE ZENER 3.3V 350MW SOT23-3

0451015.MRL

0451015.MRL

Littelfuse

FUSE BRD MNT 15A 65VAC/VDC 2SMD

BLM31PG391SN1L

BLM31PG391SN1L

Murata

FERRITE BEAD 390 OHM 1206 1LN

TSML1020

TSML1020

Vishay Semiconductor Opto Division

EMITTER IR 940NM 100MA SMD