IXFT20N80P
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| Teilenummer | IXFT20N80P |
| PNEDA Teilenummer | IXFT20N80P |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 20A TO-268 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.654 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXFT20N80P Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXFT20N80P |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXFT20N80P Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFET™, PolarHT™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 20A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4685pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 500W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-268 |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 23A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 49µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4900pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-1 Paket / Fall 8-PowerTDFN |
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